双极器件相关论文
工作在空间辐射环境下的双极器件和集成电路,受电离辐射特别是低剂量率电离辐射后,其电性能严重退化,极大的限制了空天电子系统的......
研究了掺磷双层多晶硅 RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性 .在工艺中采用自对准双极结构 ,生长一层 RCA超薄氧化层 ,并用快速热......
IGBT结构及工作原理rnIGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一......
对硅片直接键合／绝缘体上硅（SDB／SOI）双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下，研究了应力作用时间与器件参数的......
文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦......
工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合......
基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100nm）、超高频（特征频率高于15GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性......
采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA／JESD22-A102-C规定的121℃、100％RH、29．7 psi压力的条件试验96 h后，直流增益HFE测试值会有明显......
塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,......
为验证元器件在空间综合环境特别是真实辐射环境下的可用性,需要开展在轨飞行验证。文中就双极器件和光电器件辐射效应的在轨飞行......
本文研究了多晶硅在双极器件上的应用。制作了多晶硅二极管,它的正向导通电压只有0.3-0.5伏;用多晶硅隔离代替通常的pn结隔离做出......
<正> 当考虑不同的MOS工艺时,要注意的两个最主要的特点是使用价值和成本。诚然,封装密度、功率、易设计性、可靠性、与TTL的匹配......
BiCMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，BiCMOS器件主要以CMOS为主。因此，双极器件通常并入CM......
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了......
JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的......
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐......
