位移损伤相关论文
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,......
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
X射线探测器是提高X射线脉冲星导航系统精确度的关键器件,传统的X射线探测器已经不能够满足X射线脉冲星导航系统对于高精度的要求,......
GaN基高迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的耐高温高压以及抗辐照等性能在卫星通信、空间站等航天领域广泛应用。然而,太空中存在的大......
GaN材料具有宽禁带宽度、高击穿电场和高热导率等优势,在航空航天领域有着广阔的应用前景。虽然GaN材料禁带宽度较大且具有较好的......
光电耦合器(简称光耦)是一种由发光二极管和光敏三极管耦合而成的光电器件,主要用来实现系统的光电隔离功能。作为航天器信号传输......
分析了空间电离辐射的位移损伤效应影响下InGaAs PIN光探测器暗电流的损伤特性,在此基础上建立了强度调制直接检测模式的卫星光通......
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/c......
信息功能铁电薄膜材料因具有良好的性能，被广泛研究并应用于各个领域。在这些应用当中，铁电随机存储器(FeRAM)相比于当前的存储器，具......
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑......
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的......
为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照......
