本文简述了Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的原理及方法.在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜.讨论了薄膜的物理和化学......

目的采用近红外光谱(NIR)法对制川乌提取、浓缩液中的单酯型生物碱类成分(MAs)进行快速定量分析。方法应用近红外透射光谱法搜集10......

基于偏芯熔接技术构建了一种新型马赫-曾德尔干涉(MZI)原理的应力与折射率光纤传感器。该传感器是由一段单模光纤的两端实施偏芯熔......

本文研究胎龄小于32周早产儿母亲母乳中宏量营养素的含量及其与母婴一些特性的可能关系。一、方法母亲分娩2周后开始收集母乳,随后......

采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析......

针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的......

采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合......

用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透......