反型层电荷相关论文
通过引进基态施主能级分裂因素，对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现，在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低，......
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程，应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自......
SiC以其优异的材料特性,在高温、大功率和抗辐射器件电子学应用方面显示出明显的优势。另外,在化合物半导体中唯有SiC存在本征氧化......
在一定输出电流及光照条件下，数值求解半导体器件基本方程，获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明，反型层电荷与工作状态有......
