MOS器件相关论文
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
航空、核工业等事业的不断发展使得对其内部电子仪器精密度、集成度提出了更高的要求。更小特征尺寸的晶体管为芯片带来了更高的计......
电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤。在理论分析了影响MOS结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了MOS......
金属氧化物场效应晶体管作为航天设备的组成元件,在航空航天领域有着十分重要的研究意义,其在太空环境中会受到多种辐照效应如总剂......
随着工艺水平的提高,纳米MOS器件凭借性能高、功耗低、集成度高的特点广泛应用于航天器电子设备系统中。然而,航天器电子设备所处......
MOS结构电子器件作为集成电路的关键元素,电离辐射会在其绝缘体氧化层中引起明显的电荷积累。研究表明,在氧化层中俘获空穴形成的......
随着人类向深空探测领域的迫切发展需要,近年来越来越多的宇航器件均处于极端的空间环境下。太空中存在着大量高能的宇宙射线,工作......
随着VLSI制造技术向深亚微米方向快速发展,热载流子效应导致了MOSFET电路系统的可靠性问题。本文所研究的LDD MOSFET器件是深亚微......
在高k MOS器件中,铪基高k电介质的使用能减小栅电介质中的泄漏电流,但相对较高的缺陷密度则引起了较多的可靠性问题。为了提高高k......
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实......
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的......
随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄。如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间。当器件......
给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄......
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采......
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接......
对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时......
