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氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较......
随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理......
III族氮化物半导体因出色的材料特性以及在高温、高频、大功率应用的潜力已成为目前半导体领域的研究热点。得益于材料外延技术的......
本文介绍了常开GaN功率开关器件是耗尽型GaN HEMT，其击穿电压的提高和栅漏间距、栅极漏侧电场分布以及体穿通、栅极漏电的抑制等因......
AlGaN/GaN HEMT器件因为具有高击穿电压、低导通电阻等特点，被认为是出色的功率开关器件或电力电子器件，近年来受到人们的普遍关注。......
学位
超宽禁带半导体金刚石材料由于其独特的电学特性而非常适用于制备功率器件。金刚石器件大多表现为耗尽型,然而在高功率高频应用领......
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下......
合肥工业大学电子科学与应用物理学院罗林保教授领导的微纳功能材料与器件实验室,首次将重掺杂金属氧化物这一新I型表面等离子材料......
