采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在不同的基片、不同的电极上制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,构造了不同的电容器结构,并进行了多种性能的检......

采用磁控溅射法（magnetronsputtering），使用Si(001)基片在室温下制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Nb薄膜及电极La0.5Sr0.5C......

磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......

Ni-Al oxidation-resistant films and Ti-Al oxidation-resistant films, used for the barrier layers during the integrating ......

采用磁控溅射法(magnetron sputtering),室温下在Si(001)基片上制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Ti、Ni-Al以及电极La0.......

应用磁控溅射法和溶胶-凝胶法，以非晶Ti-Al薄膜为导电阻挡层在硅衬底上制备了Pt/La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/......