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研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In......
本文介绍了用网络分析仪测量波晶体管散射参数(S参数)的方法。给出了国产WC-50型低噪声砷化镓场效应晶体管在S、C、波段的测量结果......
本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计......
