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近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......
针对电光Q开关速度快的特点,提出基于射频场效应管电光调Q驱动电路的设计方法。通过选择电磁对称性器件,多个电容并联,元器件及走......
应用时间分辨技术研究了富勒烯溶液的激发态吸收瞬态功率光限幅特性,在实验条件下,其功率光限幅的开关速度约为5ns。
The time-re......
(上接第6期第60页)(4)应用电路图24至图26示出了M57959L、M57959AL、M57962L和M57962AL的应用电路。图中的栅极电阻RG的取值非常重......
自去年7月以来,三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块,这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的“PCIM亚洲展201......
<正>问现在,多数变频器采用IGBT器件,而老的变频器用的是GTR器件,请问它们之间的区别是什么?该怎样识别变频器采用的是IGBT还是GTR......
1问:IGBT的基本概念是什么?答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也称为绝缘栅双极型晶体管,它本质上是一个场效应晶体管MO......
针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提......
期刊
在工频机UPS中,整流器使用的功率器件为晶闸管,逆变器使用的功率器件为IGBT。而在工频机UPS中,整流器和逆变器使用的功率器件均为......
本文介绍的移相器特点是:通过相对直流电位差的原理实现开关MESFET多极性控制信号的增容,并在超宽带频率范围内,不影响微波电性能,......
全文主要内容分为以下几个部分:第一部分阐述了光开关的概念、基本类型和应用范围.简述其研究背景、进展和发展方向并概括了全文的......
负折射率奇异材料的一个缺点是会吸收通过的红外光,美国加州大学的研究人员化劣势为优势,利用它设计了一种新型的光开关(调制器),......
高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化,给电源工程师带来了不少选择.只要提供有关不同技术的使用指南,就可以帮助工程师选......
CMOS的未来已经在产业界和学术界引起了极大的关注。CMOS有望在未来15年内继续生存下去。大多数人会认为这是由于制造工艺实现了等......
1.技术概述rnVK05 CFL是一种用于驱动微型荧光灯的自振荡转换器,采用意法半导体的VIPower M3-3专利技术制造而成,允许在同一芯片上......
针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近......
两通插装阀控制技术是一项新型的液压控制技术，在液压机领域得到了广泛的应用。实际工作中液压机要面对许多复杂的工况，因此在产品设......
