采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态......

非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管(TFTs)凭借其高迁移率、可见光区高透明性、低温制备等优点,在液晶显示器、有机发光二极管、全透......

本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟（In2O3：Mo，IMO）和掺钨氧化铟（In2O3：W，IWO）透明导电薄膜，详细研究了......

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧......