极化电荷密度相关论文
GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能，使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
给出了两种计算电介质中极化电荷密度的方法.（1）介质内部极化电荷密度等于极化强度矢量的散度的负值,ρP=-▽·P;（2）介质内部极化......
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近年来,随着半导体材料生长工艺的不断成熟,AIN/GaN作为Ⅲ族氮化物异质材料体系的代表,受到越来越多的关注。相对于传统的AlGaN/Ga......
文章对置于匀强电场中的均匀介质球内和球外的电势和电场分布进行了定量的研究,同时讨论了ε1/ε2→0和ε1/ε2→∞时,介质球表面......
