采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻......

利用质量能量分析仪研究了微波电子回旋共振(ECR)氢等离子体的离子特征以及氢分子束流引入对离子特征的影响.在工作气压1 Pa的放电......

低能宽束离子源是离子束沉积、刻蚀和表面改性系统的核心部件,综述了考夫曼、射频等离子体、电子回旋共振等离子体、无栅网等四种......

使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光......

用紫外-可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相......

在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主......

等离子体物理是能源科学、空间科学和材料科学等许多领域的理论基础。在这些领域里，一直在研究如何产生所需要的等离子体。随着各领......

近年来,在低气压、低温等离子体研究和应用中的一个重要发展是微波电子回旋共振放电。由于它是一种无极放电,能够在低气压下产生高......

本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低......

在电子回旋共振(ECR)等离子体装置中,使用Ar气,N2气,H2气和普通空气放电,对聚四氟乙烯(PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性......

采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD）技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜，研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过......

为在室温条件下进行氧化铝薄膜的原子层沉积,自行设计了一套微波回旋共振等离子体辅助原子层沉积装置,以三甲基铝作为铝源前躯体,......

研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特......

采用电子回旋共振（ECR）氢等离子体对n型4H-SiC（0001）表面进行处理,并利用原位高能电子衍射（RHEED）对处理过程进行实时监控。在200°C......

本文采用Langmuir单静电探针法,分析诊断了电子回旋共振等离子体的参数分布特性,并分析了微波功率、气压对轴向、径向等离子体空间......

电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance,简写为ECR)等离子体源由于具有高密度、高电离度、低运行气压、大体积、均匀、无电极......

GaN，作为第三代半导体材料，因为其优良的特性，日益成为研究的重点，在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景。 本论......

随着低温等离子体技术的日益发展,具有无电极污染、放电气压低、产生等离子体密度高等突出优点的电子回旋共振等离子体也逐渐成为......