现在的半导体器件尺寸逐渐减小,工艺流程愈发复杂,使传统的电荷陷阱型存储器面临着电荷泄露增大、保持特性变差等问题。利用缺陷工......

目前,金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si, MONOS)型存储器面临的挑战是如何在低的工作电压下,提高器件......

电荷陷阱型存储器作为传统悬浮栅Flash存储器的后时代应用，目前所面临的技术挑战是在不断缩小的工艺节点要求下，实现在降低工作电压......