真空微电子器件相关论文
本论文主要研究了平面超薄类金刚石薄膜(diamondlikecarbon，DLC)、顶端定位沉积有DLC薄膜的硅微尖锥(简称为DLC尖端)阵列、单根碳纳......
真空微电子器件具有电子传输速率高、功耗低、发射电流密度大、无需加热等优点,场发射阴极作为真空微电子器件的核心部分,其性能的......
在过去的几十年中,世界各国投入大量资金竞相发展固态器件,尽管它在低频范围内取代了部分中小功率微波电子管,但多年的研究进展表......
阴极是真空微电子器件的核心部件之一。向小型化发展真空微电子器件对阴极提出越来越高的要求，例如微型化、响应快、长寿命等等。对......
通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,......
本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.......
介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件--微波功率模块(MPM),以及将微电子工艺应用于传统真空电子器件而出现的真空微电子......
研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用......
<正> 中国科学院电子学研究所创建于1956年,是电子与信息科学技术的综合型研究所。经过40多年,特别是改革开放以来的发展,业已形成......
<正>1995年美国材料研究学会(MRS)秋季会议于11月27日至12月1日在波士顿召开。本次会议规模庞大,有35个分组报告会,很多报告讨论热......
本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；依此模型对Ｓｐｉｎｄｔ阴极的计算结果与实验符合很好......
