碟形坑相关论文
作为元宇宙入口的增强现实/虚拟现实（AR/VR）近眼显示设备。微显示器（Micro LED）有着高对比度、低功耗及长寿命等优越的性能,但因其制造......
浅沟槽隔离（STI）化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中的一项关键技术,要求有高的高密度等离子体二氧化硅/氮化硅（HDP/Si3N4）速率选择比（大......
在多层铜布线化学机械平坦化（CMP）过程中,阻挡层抛光是比较重要和复杂的一步,其主要涉及到Cu、Ta、TEOS等多种材料的同时去除,且还需......
随着集成电路的快速发展,集成电路器件特征尺寸不断减小,晶圆尺寸不断增大。为了提高器件的可靠性,增加其使用寿命,达到满足光刻要......
集成电路（integrated circuit,IC）按照摩尔定律已经发展60余年,芯片内集成晶体管数量已经达到1011,最新的技术节点已经进入7nm阶段,......
随着集成电路集成度的不断提高以及技术节点尺寸的逐渐减小,多层布线化学机械平坦化（CMP）已经成为微电子领域实现晶圆全局平坦化唯一......
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,......
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的......
分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛......
期刊
呼伦贝尔沙质草地碟形风蚀坑长轴走向呈WNW-ESE。野外观测结果表明,风向与碟形风蚀坑长轴走向关系决定了风蚀坑内部的气流模式,右......
