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研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂......
期刊
直拉法(Czochralski Technique)生长硅单晶是目前获得高质量大直径晶体的一种最常用工业化方法,在直拉法生长硅单晶过程中引入磁场......
本文综述了制造集成电路(IC)用直拉硅的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术;硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程);大直径硅中新......
