直拉硅单晶相关论文
直拉硅单晶是半导体行业最重要的基础材料,半导体集成电路器件对硅材料行业提出了生产大直径、高品质硅单晶的要求。本文正是在这......
总结了熔体中生长直拉硅单晶的基本控制要求,讨论了Cz法单晶生长中的各种流动及其对硅单晶生长的影响。借助于计算机模拟结果,显示......
单晶硅是最重要的半导体材料，伴随着集成电路产业的进步，对单晶硅的品质提出了更高的要求。直拉法是制备电子级单晶硅的主要方法，在直......
随着电子工业的蓬勃发展和社会信息化的不断深入,微电子技术在人类生产生活的方方面面发挥着越来越重要的作用。硅单晶是电子器件......
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一......
由于直拉单晶硅的氧含量和均匀性对硅基器件的性能有很大的影响,单晶硅的生长也难以控制,通过研究我们可以,以氧杂质的基本机理分......
万向硅峰电子股份有限公司创建于1968年,拥有一支具有近四十年从事半导体生产历史的高素质管理队伍和高技术员工队伍.目前公司总资......
【摘 要】目前所应用于各类半导体光电器件和高效太阳能电池的直拉硅单晶多为及晶向，但是特殊晶向的硅单晶可制备出光电转换效率更......
作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很......
大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂......
通过调研,对"十五"期间中国直拉硅单晶炉用石墨材料市场进行了预测....
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型......
针对直拉硅单晶固液界面相变温度场的非均匀性导致晶体直径不均匀问题,提出一种基于偏微分方程(PDE)模型的温度场最优控制策略.考......
本文研究了快速热处理工艺（RTP）在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区（Dz）的影响。研究表明：在模拟的CMOS热处理工艺......
硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化......
通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理，研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况．研究证实：高温快......
用Secco腐蚀液对直径150mmp型(100)直拉硅单晶片进行择优腐蚀后，得到了流动图形缺陷(FPDs)，并通过原子力显微镜(AFM)对其微观结构进......
集成电路(IC)、数字模拟系统电路、太阳能光伏产业的迅速崛起为硅单晶带来了更高品质、更大尺寸的高要求。在现实生产过程当中,制......
硅单晶的机械性能是包括集成电路在内的器件的制造和封装的限制因素。同时,硅单晶的机械性能还在无位错单晶生长、外延沉积以及硅......
单晶硅的氧含量及其均匀性可显著影响各种硅基器件的性能，也是在硅晶体生长过程中较难控制的参数。本文分析了直拉单晶硅生产过程中......
主要通过单步退火、二步退火的方法,借助于红外光谱仪,研究了太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用,发现碳在单步退火过程中不......
在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg。采用5种不同的初始埚位(-50,-60,-70,-80,-90 mm),其他工......
由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数。通过研究能够分析出直拉单硅晶......
为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果......
利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律......
硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也......
本文报道对直拉硅单晶碳沾污机理的研究.用气相色谱法分析了石英与石墨反应生成物CO的蒸气压P_(co)以及拉晶条件下石英坩埚和石墨......
直拉硅单晶是重要的半导体材料,广泛应用于集成电路和太阳能光伏电池的制造。热场是直拉硅单晶生长技术的核心,对产品的质量、产量......
数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 ......
放肩是直拉法生长硅单晶保持无位错生长的过程,是晶体能够顺利进入等径生长的关键。生产实践中发现,在放肩前段经常出现液流线切入......
<正> {111}方向生长的直拉硅单晶处于无位错生长状态时外表面出现明显的细纹,同时沿生长方向的棱线在单晶的接近尾部处可能转变为......
针对不同超导水平磁场结构的磁力线分布对Φ300 mm直拉硅单晶固液界面影响问题,本文采用一种基于格子Boltzmann方法的耦合热格子模......
数值模拟技术已经成为分析和优化工业化晶体生长工艺必不可少的工具。本文利用有限元分析软件计算了Ф300mm直拉硅单晶生长过程中，......
采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递。解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径......
固液界面形态是各种晶体生长研究的关键,固液界面形态问题是一个移动边界问题。然而在Cz-Si系统中,移动边界问题又与对流耦合,尤其......
直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显......
通过计算机数值模拟仿真技术分析了TDR-95A-ZJS型22英寸太阳能直拉硅单晶热场结构中影响能耗的主要因素。基于模拟结果提出了通过......
直拉硅单晶作为集成电路的基础材料已经被广泛而深入地研究了几十年,其力学性能是其中重要的研究课题。随着集成电路用硅片直径的......
在直拉法制备硅单晶的过程中,要得到优质的晶体必须建立合理的温度分布,而单晶炉内热场的分布与工艺参数的设定密切相关。其中以晶......
一、硅单晶和外延材料 半导体硅单晶材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料,年产量已超过50亿in~2,到2000年预计将达60......
综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅......
微电子器件经常应用于各种辐射环境,在此情况下提高直拉硅单晶材料的抗辐照性能很有必要。在直拉硅单晶中掺锗被认为是提高抗辐照......
