结终端技术相关论文
在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结......
在功率器件的实际制作过程中,由于扩散而在PN结边缘产生的结弯曲,功率器件的实际耐压远小于设计的理想电压值,因此需要结终端技术......
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐......
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端，辅助耐压的p^＋环位......
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着......
高压功率电子器件在当今社会的应用已经越来越广泛,占据着不可替代的地位。近年来,随着科研人员的努力及研究的深入,已经出现了很......
以第三代宽禁带半导体碳化硅(silicon carbide,SiC)材料为衬底而制作成的PiN功率二极管器件,因其高击穿电压、高开关速度以及低正......
宽禁带半导体碳化硅以其优越的性能成为功率电子器件的理想材料且得到了广泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode......
近二三十年来,由于功率MOSFET具有电压控制、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、热稳定性好等一系列优势,得到了迅猛发展,应用......
与硅材料相比较,第三代宽禁带半导体碳化硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的载流子饱和速率,使得碳化硅PiN二极管能......
4H-SiC材料和高压4H-SiC肖特基二极管(SBD)器件具有优越的性能,在国民经济和军事等诸多领域有着广泛的应用前景,例如电力电子领域......
因具有易集成、频率响应快等优点,功率LDMOS器件被广泛地应用在功率集成电路中。低功耗是功率器件发展的方向,而LDMOS器件的耐压(B......
分析了P沟VDM0s器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系．采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了......
