肖特基势垒二极管(SBD)相关论文
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本文阐述了SiC功率器件最近的研发动向,提出了SiC与Si-IGBT的混合模块方案,对比全Si-IGBT,开关损耗能降低30%,回复损耗降低50%,可......
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由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的......