薄膜晶体管特性相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

薄膜晶体管特性相关论文

a-Silicon剩余厚度和TFT特性的关系研究

以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影......

期刊

非晶硅薄膜晶体管特性工作电流漏电流开启电压迁移率

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