透明导电氧化物相关论文
透明导电氧化物（transparent conductive oxide,简称TCO）薄膜在液晶显示器、太阳能电池、气体传感器等许多领域都有重要的应用。目前......
现代光电子产品和能源技术都大量使用透明导电氧化物（TCO）薄膜.由于太阳能电池、平板显示器、发光二极管、短波长激光器、节能玻璃窗......
超表面是一种由亚波长共振单元以周期或非周期的方式排列组成的平面阵列结构,它可以通过改变共振单元的几何形状来控制入射光的相......
透明导电氧化物薄膜(TCO)在现代社会多个领域有着重要的应用,如太阳能电池、薄膜晶体管、平板显示器等。常见的TCO材料如锡掺杂氧......
在不同氨分压比(0~30%)下，用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性......
硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一......
The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si ......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式,制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜,研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性......
氧化物由具有变化的晶体结构和离子组成,其在自然界储量丰富与环境有良好的相容性,因此开发透明导电氧化物(TCOs)及其器件上存在巨......
目前,传统计算机的构架是冯诺依曼结构,其特点是计算与存储是分开的。然而,冯诺依曼结构的低效已经成为阻碍人工智能和机器学习发......
基于透明器件广阔的应用前景,p型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点,并在近年来取得了令人瞩目的进展。综述了p型ZnO基......
通过研究一种新型透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide, TCO)的减反射作用, 探索增加入射光进入Cu2ZnSnS4 (CZTS)太......
透明导电氧化物在平面显示、紫光二极管和其它透明半导体器件领域有着非常重要的应用前景.这种材料在电子或空穴掺杂后表现出既具......
ZnO是一种N型宽带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,有优异的压电、光电、压敏等特性,且电导率和透过率高,具有和ITO相......
近年来,透明导电半导体氧化物材料(TCOs)吸引了人们的广泛关注,它在纳米规模的电子元件和光电器件等方面具有潜在应用价值和广阔应......
ZnO基透明导电氧化物薄膜有优良的光学和电学性能。掺杂Ga到ZnO薄膜(GZO)中时,GZO薄膜的晶格畸变能会比较小,在室温条件下制备GZO......
透明导电氧化物(TCO)薄膜因为具有在可见光区透明和电阻率低的特性,被广泛的应用在各种光电器件中,如平面液晶显示器(LCD)、太阳能......
在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下......
通过脉冲激光法在石英玻璃基底上沉积了锡掺杂氧化镉(Sn-CdO)透明导电薄膜。X射线衍射,分光光度计和霍尔效应仪检测了薄膜的结构、......
功能薄膜在战略新兴产业中扮演着重要的角色,其中,透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,简称TCO)薄膜是非常重要的一种.......
人们还在继续寻求一种用于平板显示器的具有成本效益的氧化铟锡(ITO)替代品。本文介绍了一种实用的形成氟掺二氧化锡(FTO)高精确度......
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著......
人们还在继续寻求一种用于平板显示器的具有成本效益的氧化铟锡(ITO)替代品.本文介绍了一种实用的形成氟掺二氧化锡(FTO)高精确度......
采用射频磁控溅射方法制备了ZTGO透明导电氧化物薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了生长温度(......
介绍了P型铜铁矿结构氧化物ABO2的晶体结构、电子结构和光、电学特性,综述了P型铜铁矿结构氧化物薄膜材料制备方法与研究现状以及......
利用溶胶凝胶法在Al2O3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌（MZO）透明导电薄膜,研究了,钼的掺杂量（0～1 at%）对钼掺杂氧化锌薄膜光......
采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2（B=Al，Cr，La）多晶陶瓷的制备，并采用脉冲激光沉积法（Pulsed laser depositio......
以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜（IBO）。实验表明：IBO薄膜具有良好的表......
光伏玻璃在光伏领域被称为超白玻璃,主要分为两种,一是应用于晶硅电池的超白压延玻璃,二是应用在薄膜电池上的透明导电氧化物镀膜......
以分析纯微米级Al2O3和Cu2O粉体为原料,采用固相烧结法制备铜铁矿型透明导电氧化物CuAlO2陶瓷靶材,通过XRD、R-T和SEM等测试方法对......
介绍了制备GZO薄膜的各种方法，如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶一凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法；阐述了这些方法的镀膜原......
通过脉冲激光沉积法首次制备了ZnO/CdO复合薄膜。采用X射线衍射、光致发光和电阻率测量分析了薄膜的结构、光学和电学性能。光致发......
铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密......
以SnCl2·2H20和SbCl3为原料，利用溶胶-凝胶法制备了SnO2：Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点，利用紫外可见分光光度计测量了薄......
文章以金属镓（Ga）、铟（In）和氧化亚锡（SnO）粉末作为前驱反应物，通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO（掺杂了In、sn的Ga2O3）纳米......
用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和......
采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜,通过霍耳效应仪和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了工作压......
透明导电氧化物材料（Transparent Conductive Oxides,TCOs）由于具有高达105S·cm-1的电导率,可见光区域具有80%以上的透过率而在......
在不同氨分压比（0~30%）下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的......
研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的......
SnO2透明导电氧化物薄膜材料具有优越的光电性质,是当前玻璃功能材料研究领域和工业发展的热点之一.本论文依据第一性原理,利用Mat......
透明导电氧化物（TCO）因同时具有透明和导电的特点,被广泛用作平面显示器、太阳能电池、触摸屏板、热功能窗等的电极。本文结合作者研......
透明导电氧化物（TCO）薄膜因其较低的电阻率和在可见光范围内的高透过率,在太阳能电池、平板显示器、透明电极、气体传感器等光电薄膜......
用电子柬蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜．并在500℃下氮气氛围中退火1h．将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图，并记录......
透明导电氧化物(TCO)薄膜材料因具有近零介电常数(Epsilon-near-zero,ENZ)特性,且其介电常数可通过电场调控而受到研究者的广泛关......
本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（1......
