钨插塞相关论文
本文对目前超大规模集成电路钨化学机械抛光(CMP)原理及工艺的一些问题进行了分析,并对用于钨CMP的抛光液进行了研究.......
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI......
采用有机碱和过氧化氢作为抛光液的pH值调节剂和氧化剂，分析化学机械抛光过程中化学作用对抛光过程的影响。氧化剂在钨表面形成较软......
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术--钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的......
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光（CMP）工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面......
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CM......
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为......
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