阈值电流密度相关论文
要降低半导体激光器阈值电流密度和提高外微分量子效率,其中采取的主要方法之一是在发光芯片的两个端面选取适当的能量反射比。根......
Si基光互连的高效光源一般为III-V族激光器,但其工艺与Si-CMOS的工艺兼容性差,这一难题一直阻碍着其发展。同为IV族的Ge材料可以解......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项，通过适应于多量子阱激光器的速率方程，从......
为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴......
具有独特电学、光学性质的低维半导体材料,不但在基础物理研究方面意义重大,而且广泛应用于光电子器件的制作。量子点激光器具有线......
利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨......
针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激......
1996年,加利福尼亚大学圣芭芭拉分校的Heeger研究小组首次实现光泵浦固态共轭聚合物激光。此后,电泵浦有机半导体激光的实现就成为......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值......
报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化。对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960nmLD的激射波长进行研究发现,条宽为130......
利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度......
用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器......
半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用，近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途......
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流......
本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可......
大功率半导体激光器在众多领域都具有广泛的应用,近年来大功率半导体激光器的研究重点主要集中在如何提高输出功率、改善远场发散......
量子点激光器是一种非常重要的半导体激光器，由于量子限制效应，使得量子点激光器具有更为优越的性能，与其它材料的激光器相比，具有更低......
量子级联激光器是种全新的器件,它是单极性导带器件,发射波长在中红外区域。随着量子级联激光器技术的发展特别是中红外的量子级联......
利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜.经测试采用这种......
光电子学在国家《自然科学学科发展战略研究报告》中被列为重点内容。主要简述了半导体光电子学在现代科技和经济发展中的地位和作......
本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——......
氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合......
激光光源是卫星光通信系统中重要的终端部件,其工作性能最终影响和制约着通信系统的稳定性和可靠性。对空间辐射环境下GaAs,InP激......
