本文提出了一个包含锁效应在内的ＩＧＢＴ的静态解析模型，由该模型可清楚地从器件物理角度分析ＩＧＢＴ的静态参数，为改善ＩＧＢＴ的静态特性和进行ＩＧＢＴ的优化设计......

根据IGBT物理结构与基区过剩载流子的分布特点进行半导体物理公式推导,参考现有模型并对其不足之处进行改进,把整个基区分为多个区......