静电感应晶体管相关论文
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两......
讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器......
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降......
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注......
报告了用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SITs)交直流特性的结果.SIT的栅极长度为0.13μm,源极和漏极......
用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管（SIT）的特性，给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Mon......
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区，这种工艺热预算较高，使得工艺复杂程度和生产成本较高，基于此提出并设计了一种新型......
提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术，讨论了寄生栅源电容......
提出了一种新型结构的静电感应器件，设计了一道环绕的深槽，用以切断寄生效应静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效，文......
在表面栅和埋栅结构的基础上，提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构，平面型埋栅结构，用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅......
研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管，提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之问的最佳匹配关系．工......
描述了改善静电感应晶体管（SIT）大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、......
为了研究静电感应晶体管（SIT）势垒形成机理,本文利用Silvaco Tcad软件模拟,仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系.通过改变反......
针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学......
在过去的70年中,半导体行业在电路设计领域发展迅速,更高集成度的半导体芯片以18个月翻倍器件数目的速度推进了一代代新的电子产品......
随着航天技术的发展,可靠性高、寿命长、航天级抗辐射电力半导体器件的需求已经成为更好的发展航天工程的前提。埋栅型静电感应晶......
随着高新技术的发展和人们对高品质生活条件的追求,导致电力半导体器件的更新换代越来越快,而其研发周期通常包括理论研究、产品试......
无机半导体电子元器件已微细加工至亚微米、深亚微米,其芯片技术水准所能达到的集成度已趋向于物理极限。近几年来,有机电子元器件......
本论文的研究对象是一种新型结构的有机薄膜晶体管——有机静电感应晶体管(Organic Static Inductive Transistor:OSIT)。它具有静......
有机发光晶体管是将控制部分的OTFT和发光部分的OLED集成到一个器件结构中,利用栅压控制电流,进而控制发光。不仅提高了器件的集成......
随着电子产业的发展,集成电路在各种电子装置中发挥着越来越大的作用,而晶体管是集成电路中不可缺少的重要元件。晶体管的电气性能......
