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在晶圆厂生产中,一颗性能良好的芯片和很多因素相关,包括:原材料特性、电路设计完整性、工艺选择以及环境和人员素养。相对来说,原......
本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究.产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm2)、抗电......
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器（APD）是应......
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,......
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
宽禁带SiC以其优异的特性,成为制造超高压晶闸管的首选材料。SiC光触发晶闸管(LTT)因驱动电路简单、抗电磁干扰能力强,成为超高压......
发光二极管(LED)作为新一代绿色照明光源,具有高效、节能、环保、寿命长的优点,在节能减排、低碳发展中发挥了重要作用。现在,四元......
在现代电力电子电路中，对器件尺寸要求越来越小，对工作频率的要求越来越高，功耗越来越小。因此，对二极管提出了高耐压、低功耗、快恢复......
可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了G......
设计了一种具有同型异质结埋栅结构的太阳电池,该电池与类似的多晶硅电池相比,其在400～ 600nm及大于850nm波段的光谱响应及开路电压......
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构，由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成，分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进......
