4H碳化硅相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

4H碳化硅相关论文

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅（4H-SiC）晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-S......

期刊

4H碳化硅研磨金刚石磨料分散介质材料去除速率面型参数

4H碳化硅单晶中的位错

4H碳化硅（4H-SiC）单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性，在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信......

期刊

4H碳化硅位错单晶外延电学性质光学性质

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