C-V相关论文
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
学位
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进.采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
The electrical characteristics of GaN schottky diode with and without the interfacial oxides are compared in this paper.......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于......
采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒......
以北京微电子技术研究所自主研发的803微机械陀螺为研究对象,对陀螺的闭环驱动电路进行了分析和设计。闭环驱动电路实现方式主要有......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进......
提出了一种基于水平集框架的能量传导模型ECM（energy conduction model）用于对医学图像进行分割．该模型通过对图像中的灰度分布和空间......
用溶胶-凝胶法，在Si单品片上定向外延生长单钙钛矿氧化物La1-xSrMnO3（LSMO）（x=0．3、0．5、0．7）薄膜和异质结。X射线衍射结果表明LSMO薄膜成......
考虑历史电场效应,将描述铁电层矫顽电场分布的Preisach模型引入MFIS结构,和传统的MOS结构器件电荷薄片模型结合,对MFIS结构的C-V......
据台湾媒体引述市场调研机构Semico Research的最新报告,预计到2025年,采用RISC-V架构的芯片出货量将增至624亿颗,2018年至2025年......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb（Zr0.52T0.48）O3（PZT）铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介......
本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其......
本文介绍了电化学C—V测试的原理和方法以及新采用的一种装置。在测试过程中,对每个样品的每种类型区采用即时测量C—V关系的办法......
期刊
本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明......
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理，来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方......
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(L......
图像分割是数字图像处理(Digital Image Process DIP)和识别中的基本问题,在过去的几十年里,此研究一直备受关注。它的目标是从已......
基于锁相技术,提出了一种可行的差分电容测试方法。介绍了通过硬件和软件设计,利用数字锁相放大器model7225,8051单片机单元等实现......
本课题的主要研究目的在于用S钝化来降低Si表面的表面态,并且希望解决SiC和Si界面态问题,提升Si/SiC.异质结的光电特性。实验分别......
本文主要关注基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性的研究,通过C-V电学测试,结合频率崩塌法、电导法以及Terman法等对GaN基器件......
SOI(Silicon-on-Insulator)即绝缘体上的硅材料，其结构通常为顶层硅-绝缘埋层-衬底硅。相对于传统的体硅材料，绝缘埋层的存在将SOI材......
碳化硅（SiC）由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应......
学位
随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数......
本论文工作围绕2μm中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和器件工艺中存在的问题,对其相关材料......
ZnO是一种重要的宽禁带(常温下为3.37eV)低介电常数的直接带隙半导体材料。它有较高的激子束缚能（常温下为60meV），使得其在室温下可以......
利用应变SiGe Si异质pn结电容 电压 (C V)特性确定SiGe禁带宽度的技术 .该技术根据SiGe Si异质pn结C V实验曲线 ,计算出pn结接触......
本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分......
表面沟道CCD是一种工作在非平衡深耗尽状态下的动态器件。信号在氧化层一半导体界面储存与转移。因此要求一稳定性好的高质量半导......
通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工......
