CuInS2薄膜相关论文
采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2 浓度的电解液中电......
太阳能作为清洁型新能源的主题，被赞誉为人类之父，具有非常广阔的开发前景。在所有的光伏器件中，CuInS_2是直接带隙半导体材料，吸光系......
本文研究了薄膜太阳能电池吸收层材料CuInS2和缓冲层材料In2S3的制备，并对薄膜层的物相、形貌、结晶度、界面结合强度等结构特征，以......
CuIn（S/Se）2（简称CIS）是一种直接带隙半导体材料，吸收系数高、带隙可调、转换效率高、性能稳定，并且具有优良的抗干扰、耐辐射能力而受到......
随着传统石化能源的日益减少,太阳能作为一种重要的可再生能源逐渐成为人们关注的热点。光伏发电是太阳能利用研究领域中最重要的......
CuInS2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物,光吸收系数可达(1～6)×105cm-1,禁带宽度接近太阳能电池所需的最佳值(1.45eV),具有本征缺陷自......
新能源是人类社会实现可持续性发展的重要支柱和希望。其中,太阳能以其无污染、无噪音和来源稳定成为研究和应用的热点。特别是太......
CuInS2是一种ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物直隙半导体材料，它的结构、性质和制备方法都与目前人们广泛研究的具有黄铜矿相结构的CuInSe2吸收......
进入20世纪以来,人类工业文明的迅猛发展,使得由此引发的能源危机和环境污染成为亟待解决的问题。太阳电池直接将太阳能转换成电能......
单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用......
将高纯Cu、In、S粉末按1:0.1:1.2配比混合均匀，置于钼舟中单源共蒸沉积CuInS2薄膜.氮气保护对CuInS2薄膜进行热处理，研究热处理工艺......
CuInS2材料是直接带隙半导体,禁带宽度为1.50eV,接近太阳光吸收的最佳带隙1.45eV,具有105cm1数量级的光吸收系数,是理想的太阳能电......
本文综述了CuInS2薄膜太阳电池的研究现状,系统的介绍了其晶体结构、电学、光学特性及其薄膜制备方法。研究了乙醇溶剂热法制备CuI......
在太阳能电池领域,越来越多的研究兴趣转向薄膜太阳能电池,电池的薄膜化是其必然发展趋势;从降低成本的角度考虑,薄膜太阳能电池被......
具有类黄铜矿结构的CuInS2属于直接带隙半导体材料,对可见光的吸收率很高,且对温度的变化不敏感,禁带宽度为1.50 eV,接近太阳电池......
本文基于生物矿化制备硫化铅(PbS)基础上,以溶液为媒介结合化学沉积,构建了一中新颖的化学沉积法制备无机功能材料的体系。此种方......
本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表......
将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌......
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不......
采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电......
为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进......
采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS......
摘 要：本文介绍了CuInS2薄膜的概念和用途，阐述了电沉积法制备薄膜的方法，着重介绍了制备过程中电极和沉积液等参数的设置，并且对薄膜......
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜，采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuI......
采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面......
近年来,CuInS2作为太阳能电池光吸收材料,由于其优异的综合特征已经引起人们的广泛关注.文章介绍了CuInS2太阳能电池的发展历史和......
在不同硫分压r（r=Sn／[N2＋Sn]）下，采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分......
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜，并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采......
采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层CuInS2薄膜，研究了硫源处N2流量对CuInS2薄膜微结构的影响。利用SEM和EDS观察和分析了它们......
CuInS2(CIS)作为一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型无机三元半导体化合物,是直接带隙的半导体,吸收系数较大,大约为104-105cm-1,其光学禁带宽度为1.5......
CuInS2 (CIS)化合物是带隙宽度为1.53 eV的直接带隙半导体,与太阳能光谱匹配较好,吸收系数高达105cm-1,并且对辐射和杂质不是特别......
在全球经济快速发展，环境质量不断下降以及传统能源频频告急的社会背景下，近年来，人们开始探索可替代传统能源的绿色无污染、储量丰富......
大气中CO2气体浓度的持续增加,打破了自然界中原有的碳循环平衡,导致了温室效应的产生,严重威胁了人类的生存。将CO2气体转化为有......
铜铟硫(CuInS2,简称CIS)薄膜为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ三元化合物半导体材料,其禁带宽度为1.53eV,与太阳能电池材料所需最佳禁带宽度(1.45eV)相接......
