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LD泵浦Nd:GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被......
期刊
半导体激光器泵浦
ND:GDVO4晶体
GAAS
被动调Q
Diode-end-pumped
Nd∶GdVO4
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Passively Q-swit
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