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二维层状过渡金属硫化物（Transition metal dichalcogenides,TMDs）具有优良的半导体光电性能。而由单层的TMDs垂直堆叠而成的范德华......
近年来,作为二维材料家族中新的成员—单层或少层黑磷,由于其较宽的能隙,高载流子迁移率和开/关电流比,高度各向异性等独特的特性......
氧化铟（In2O3）是宽能隙多功能新一代半导体材料,有着广泛的应用前景。In2O3具有良好的透明导电性,已被应用在太阳能电池、平板显示、......
采用基于第一性原理下的局域密度近似(LDA)方法对岩石矿物结构Ca硫族化合物CaX (X=S,Se,Te)的晶格常数和电子结构进行了研究.研究......
应用基于密度泛函理论下的局域密度近似(DFT-LDA)方法研究了岩石矿结构的 MgS和MgSe的晶体结构和能带结构.本文得到稳定结构的晶格......
