利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga A......

利用高分辨电子显微镜观察了（１００）ＧａＡｓ单晶 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发的形变行为结果表明，这种材料在 Ｖｉｃｋｅｒｓ硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错，导致发生晶格......