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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包......
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge......
