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IMEC相关论文

IMEC在高k/金属栅上的进展

在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......

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金属栅金属栅极激光退火阈值电压栅介质栅长叠层电子器件短沟效应 IMEC

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