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ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
期刊
ISSG
负偏压
氮化工艺
栅氧化层
半导体集成电路
水汽氧化
失效时间
均匀性
界面态
氮化
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