InAs纳米线相关论文
制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的......
InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率，低有效质量以及很大的激子玻尔半径。InAs纳米线在纳米电子器件......
半导体纳米线因其载流子在两个维度上运动受限,从而表现出优异的准一维载流子输运特性,而且凭借着自下而上的可控制备、以及与CMOS......
低维纳米材料如纳米线、纳米管和石墨烯等可作为纳米器件的核心单位并且具有非常优异的电学性质而备受关注。针对当前低维纳米材料......
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性。对器件的阈值电压、......
利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对......
近十几年来,随着纳米材料制备和微纳加工水平的不断提高,各种新颖的一维、二维材料被广泛地研究。低维材料特有的优异的光学和物理......
半导体纳米线被认为是下一代纳电子器件的基本结构。作为一种性能优异的光电材料,近年来InAs纳米线受到关注。InAs纳米线表面被InP......
本文系统的研究了InAs纳米线的光电探测特性。InAs纳米线因其独特的表面电荷积累层、高载流子迁移率、费米能级钉扎效应和易于形成......
低维半导体结构本身有很多优点,在低维结构中,半导体纳米线(或者量子线)由于具有众多独特的优点而在新一代电子、光电器件以及系统......
