MGZNO相关论文
随着光谱应用范围的拓展和光电探测技术的迅猛发展,紫外探测技术已经广泛应用在各国军事领域、人类医疗健康以及全球环境监测等方......
ZnO基半导体作为当今光电子材料领域最为热门的材料之一,其高质量晶体生长与掺杂仍然是当今研究的热点问题,通过Mg原子的掺入可以......
近年来,MgZnO宽禁带半导体凭借其独特的材料特性受到了研究人员的广泛关注,是当前光电子和光通信器件领域研究热点之一。由于ZnO和......
近年来,宽禁带半导体材料由于具有电子速度高、抗辐射性能强以及导热性能好等特点,在高速的光电技术发展中得到了越来越多的关注。......
近几年商业上对研制高效的蓝光LED和短波长激光二极管的强烈需求,使人们掀起了对可产生短波长的宽禁带半导体材料的研究热潮.作为......
本文的研究对象是新型宽带隙III-族氮化物 (InN、GaN和AlN) 和三元化合物MgZnO的热光系数。InN薄膜用溅射方法生长在GaAs (111)......
利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响.结果表......
Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大......
通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了MgZnO薄膜,结合光刻和聚苯乙烯(PS)小球模板技术,制备了基于Ag微......
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