MRAM相关论文
在半导体工艺不断逼近物理极限的背景下,各种新型存储器技术推动着集成电路的创新发展。基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Tran......
MRAM作为新型的非易失性存储器,不仅有着掉电不丢失数据的特性,在功耗、容量、寿命和读写速度等方面的性能也不逊色于主流存储器。......
近年来,随着GMR效应的深入研究和广泛应用,极大地推进了基于GMR效应的磁存储器件MRAM（Magnetic Random Access Memory）的研究和开发......
随着电子设备在商业、工业及军事等领域的广泛使用,集成电路技术得到前所未有的发展。测试是集成电路产品生产过程中不可或缺的一......
A Novel Design and Fabrication of Magnetic Random Access Memory Based on Nano-ring-type Magnetic Tun
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对非易失性存储器MRAM(Magnetic Random Access Memory磁阻随机存取存储器)特性进行分析,论述了其独特的工作原理,对其发展历程作......
Single barrier magnetic-tunnel-junctions (MTJs) with the layer structure of Ta(5)/Cu(30)/Ta(5)/Ni79Fe21 (5)/Ir22 Mn78(12......
主要研究了不同保护层Ta和Ru对磁性薄膜NiFe的厚度及磁性的影响.通过观察可以看出,NiFe/Ta,NiFe/Ru界面间产生了磁矩为零的部分层......
