提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......

基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电......

提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......