碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年......

碳化硅(SiC)具备高温强度高、抗热震、硬度高、耐腐蚀等优点,在航空航天、电子、汽车、生物、能源、机械、化工等领域中有广泛的应......

为了获得高固低粘且易于消泡的SiC陶瓷料浆，本文分别采用不同结构的改性剂对氨基苯磺酸、丁二酸、乙二醇和PEG400对SiC粉体进行包覆......

SiC是一种很有发展前景的非氧化物材料,具有许多优异的性能，如硬度高,强度高,抗氧化和耐磨等性能,在陶瓷材料方面应用广泛。胶态成......

采用常规阳极氧化法 ,研究电解液中各成分和电解规范对复合阳极氧化膜层性能的影响后 ,提出了添加 Si C粉体硫酸溶液中铝的复合阳......

研究了两种不同来源的SiC粉体的表面性质及其浆料的流变性质．发现尽管两种粉体的粒径分布相近，形貌相似，但由于粉体表面性质的差别导......

利用紫外一可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体ＳｉＣ上的定量吸附情况．加入酸性ＰＥＩ后粉体ＳｉＣ表面的电性发生改变，等电点由ｐＨ＝２．０移至ｐＨ＝１０．５．分散剂在粉体上......