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在宽禁带半导体中,碳化硅（Si C）由于其优异的物理特性（例如高临界电场,高热导率和高饱和电子漂移速度）而在高功率电子领域被广泛应用。......
作为一种新型的宽禁带(WBG)半导体材料,碳化硅(SiC)凭其出色的物理特性越来越收到工业界的关注。作为当今最流行的WBG功率器件,SiC......
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