a-C:F薄膜相关论文
本文以C2H2和CHF3为源气体在微波ECR-CVD系统中沉积了a-C∶F薄膜，并在500°C真空气氛下进行了热处理。重点研究了沉积温度对薄膜性......
以CF4和CH4的混合气体为源气体,以Ar为工作气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf-PECVD)制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,并在Ar......
以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜.薄膜的结构和性......
用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚......
以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a-C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶......
氟碳聚合物（a-C:F）薄膜有着非常广泛的应用价值。该膜具有较好的疏水性,极低的介电常数（1.6-2.1）和生物相融性。作为疏水层应用在纸张......
