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基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应
采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺......
期刊
长波碲镉汞
表面钝化
栅控二极管
Ⅰ-Ⅴ
R0A
温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响
对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为......
期刊
烘烤
Ⅰ-Ⅴ
碲镉汞
电流机制
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