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侧壁陡直度相关论文
Ar/CHF3反应离子束刻蚀SiO2的研究
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响.使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图......
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反应离子束刻蚀
入射角
侧壁陡直度
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提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法
现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直.通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡......
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物理光学
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反应离子束刻蚀
侧壁陡直度
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