光导开关相关论文
为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电......
传统高功率微波产生主要基于相对论电真空器件,发展至今遇到了体积较大、频率调节困难、需要真空系统等问题;近年来,随着微波光子......
随着科学技术的发展和当今在科研、航天、工业和国防等领域的需要,业界对脉冲功率系统的输出功率、输出能量、脉冲前沿、脉冲前沿......
利用半经验色散公式,研究了太赫兹(THz)高频范围的模式色散和LT-GaAs光导开关(PCSS)的辐射衰减特性,并用快速傅里叶变换(FFT)对LT-......
利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......
利用半导体激光器作为触发源,对砷化镓光导开关进行了实验研究,重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明,光导开......
为了提高光导开关的光生载流子密度,延长器件的使用寿命,降低对光源的能量需求,实现设备的小型化,基于半绝缘4H-SiC材料建立了全内......
采用飞秒激光激励光导开关能够产生脉宽皮秒甚至亚皮秒级的太赫兹脉冲,近年来,这项技术成为校准宽带示波器上升时间的有效手段。以......
金刚石极为优异的物理化学性质使其成为能够应对恶劣条件和严格要求的“未来”材料。超宽带隙和高载流子迁移率是其作为深紫外探测......
光导开关是一种利用半导体材料受到激光照射,产生光生载流子实现阻抗的急剧变换,从而使电路关断或导通的半导体开关。它具有光电分......
光导开关具有高达兆瓦的大功率容量和低至皮秒的快开关速度,这样的特性使其在脉冲功率领域和超宽带电子学中具有广泛的应用前景。......
高功率脉冲技术在国防军事、航空航天、重工业等领域有着广泛的应用,功率开关在功率脉冲系统中担任着重要的角色。光导开关与其他......
本文从碳化硅光导开关的发展与应用出发,分析了垂直型碳化硅光导开关器件的优劣,针对垂直型碳化硅光导开关目前存在对衬底结晶质量......
目前,高功率脉冲驱动源已经广泛应用于国防与民用等多个研究领域。本文设计了一种基于可饱和脉冲变压器(SPT)和LC-Marx发生器技术......
光导开关由于具有重复频率高、闭合时间短、体积小重量轻、抖动时间小等优点,被广泛应用于脉冲功率领域。由于光导开关长时间在大......
该文研究高功率超宽带电磁脉冲产生和辐射,从理论和实验相结合的角度开展研究.超宽带电磁脉冲是正在蓬勃发展中的前沿性研究领域,......
光导开关是一种光控电开关,因其可容功率大、体积小、耐击穿电压高、导通电阻小、响应速度快、重复频率高、抖动小和可靠性高等特......
太赫兹波由于其波段的特殊性,在生物医学和安全检测方面具有重要应用价值,利用局限在金属表面的太赫兹表面等离子体可进一步提高检测......
随着微纳电子技术、光电子技术和微纳加工技术的飞速发展,电子器件呈现出微型化和高速化的发展趋势。如何对这样的超快器件,特别是......
本文探讨了衬底材料掺杂浓度、陷阱浓度、外界入射脉冲光及外加电压等因素对不同尺寸的光导开关的工作特性的影响,具体分析了其机......
本文主要研究了各种以光导开关为核心器件的电脉冲成形电路:Auston电路、Blumlein脉冲形成线,对其输出转换效率进行比较,并进行实验研......
本文以研究超宽带光导脉冲源的核心光导开关的工作原理和实际应用为目的,模拟了光导开关在线性工作模式下的输出电脉冲,研究了光导开......
超宽带源和天线在瞬态雷达和通信系统中具有广泛的应用前景。目前,超宽带电磁脉沖的产生是一个极具挑战性的工作。它可以产生100ps......
在微波源固态化的过程中,以半导体材料为基础的大功率微波源技术迅猛发展。这种源有三个重要特点:1)输出窄脉冲信号。2)输出信号频......
本文研究用于超宽带系统的Vivaldi天线。超宽带技术在短距离高速无线通信系统中有着广泛的应用,超宽带技术固有的特点和特定的应用......
对掺Si补偿Cu的GaAs(GaAs∶Si∶Cu)材料的光控开关特性进行了计算机模拟,结果表明Cu与Si的浓度比和激光通量是影响开关特性的两个......
THz电磁脉冲是由超短激光脉冲选通半导体光导开关后产生的超宽频带电磁辐射,在很多基础研究领域、工业应用领域以及军事领域中有相......
光导开关(PCSS)在暗态耐压测试中耐压值低于理论值。根据GaAs材料特性,分析了暗态下光导开关的击穿机理。指出碰撞电离与电流控制负微......
建立了一个新型的光控光导半导体开关(简称光导开关)解析模型,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程,考虑了载流子的表面复合和体复合......
利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......
为了达到回扫脉冲调制器的预期指标,计算了相关参数;说明了选择回扫调制器作为脉冲高压电源的原因。该脉冲调制器可提高单个光导开......
对设计制作的3mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究。试验中比较了光导开关的静态绝缘电阻、暗电流和击穿电压之间的关系,......
传统的超宽带天线概念是在频域下定义的,有些不能作为时域脉冲天线使用。为实现时域天线的定向性、低剖面、小尺寸、可承受高功率等......
利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性.在非故意掺杂氮浓度为1×10^14c......
光导开关用于产生高功率脉冲,提高光导开关的耐压能力可有效提高器件的输出功率。用SIL-VACO软件对共面和异面电极结构的GaAs光导开......
该文报道了一种可承受33kV偏置电压的光导开关结构。该结构从两方面提高光导开关的耐压特性:两层厚度为20μm的3c—SiC薄膜采用HFCV......
利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs 光导开......
介绍了光导开关的加工过程与测试设计,报道了光导开关分别在纳秒与皮秒激励脉冲光源激发下,处于线性工作模式时实验结果.根据实验......
采用瞬态电脉冲测试电路,对砷化镓(GaAs)光导开关线性与锁定(10ck—on)工作模式的临界状态进行了系统的实验测试,得到阈值条件附近波形变......
本文针对提高光导开关输出辐射功率的问题,尝试性地提出了一种基于电子线路的功率合成方法,采用双电容分别对两个光电开关进行驱动......
利用高阻特性的InP:Fe材料,制成间隙分别为2 mm和3 mm的横向型光导开关,在不同高压情况下,用ns和ps光脉冲触发进行实验研究,并对实......
介绍了以光导开关为核心的高压纳秒电脉冲系统组成。半绝缘GaAs光导开关在初始偏置电场26.7 kV/cm条件下受到1 ns、光能20μJ、波......
为了实现能产生重复频率矩形高压脉冲输出的紧凑型脉冲功率源,设计了基于脉冲形成网络的直线型脉冲变压器.以陶瓷电容和光导开关构......
研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法:腐蚀掉100nm厚的AlAs牺牲层,将外延生长的500nm厚的低......
对光脉冲入射波长为1 064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为103V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释,讨论了......
光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等......
采用2种电阻率的钒掺杂半绝缘6H-SiC晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关,分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电......
提出了利用达朗伯公式行波法分析光导开关传输线的新方法,建立了电磁波时域有限差分中边界条件及源的设置方法.利用时域有限差分法......
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种......