光荧光谱相关论文
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressu......
The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using h......
该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
报道了几种典型的光压谱(PVS)和光荧光谱(PLS);比较了PVS中吸收边Eα和PLS中峰能值Ep的关系;分析指出,最窄能带隙Eg=Ep-1/2KT=Eα;......
GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周......
用分子束外延系统生 长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不 同注入离子和不同注入......
研究了晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格材料的热稳定性 ,实验结果表明在 60 0℃以上的热退火下会产生量子阱混合 .采用 1 .0 6......
运用1.064,μm连续输出的Nd:YAG激光器,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序(PAID)技术的研究.通过......
提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特......
