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基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表......
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单芯片白光LED
半极性面
InGaN
极化效应
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