单晶Si相关论文
单晶Si是重要的半导体材料,由于其较好的耐高温抗辐射等特性被广泛应用于大规模集成电路制造、微电子元器件及太阳能电池等产业,成......
多孔材料由于其特殊的性能，应用领域不断地拓展，特别是在环境工程领域。本文利用Nadezhda-2型强流脉冲电子束装置对纯Cu、奥氏体304......
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤......
室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入......
期刊
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入......
