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采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器，在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定，......
采用分子柬外延方法在砷化镓衬底上生长了AlAs／GaAs双势垒量子阱薄膜结构。介绍了量子阱薄膜在单轴压力作用下的压阻实验，测试出薄膜......
共振隧穿二极管（RTD）具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应......
本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件。简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结......
