反向恢复特性相关论文
半导体电子器件技术作为推动社会信息化发展的基石,在过去六十年里不断地更迭进步,传统硅（Si）材料器件的性能逐渐逼近理论极限无法满......
GaN功率器件具有临界电场高、开关速度快、载流子迁移率高等优点,广泛应用于高频桥式电源系统中。在桥式系统中,GaN功率器件需依靠......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
在对SiGe材料、SiGe/Si异质结性质以及超结结构特点、性质等方面研究的基础上，本文提出了超结和半超结SiGe功率开关二极管。相比传......
